[00077983]钨酸铅晶体的制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种钨酸铅晶体的制备方法，它包括如下步骤：原料预处理；将预处理后的原料即PbWO4注入置有籽晶的生长坩埚，顶部预留0.1-0.6倍于晶体长度的空间，然后包装好；对坩埚内预留空间部分进行抽真空，然后再注入1个大气压的氧气，密封坩埚；将坩埚置于下降炉内接种、生长，炉温控制在1200-1250℃，坩埚下降速率1mm/h；晶体生长结束后按30℃/h速度降温至950℃退火5小时；将生成的钨酸铅晶体在退火炉中按照30℃/h升温至1000℃，恒温5小时使之退火，然后再按照30℃/h降温至室温；将得到的钨酸铅晶体按照既定规格切割、抛光即可得到成品。
