[00078176]一种低电场、高能量密度的介电陶瓷及其制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种低电场、高能量密度的介电陶瓷及其制备方法，该介电陶瓷的化学式为(1‑x)BaTiO3‑xBaSnO3，x为摩尔百分比，其中0.03≤x≤0.15，本发明采用固相合成的制备方法，得到了具有低电场下高储能性能的介电陶瓷，本发明的成分及工艺步骤简单、易于操作、重复性好；主要应用于高集成度小型化的便携和可穿戴电子设备等领域。
本发明公开了一种低电场、高能量密度的介电陶瓷及其制备方法，该介电陶瓷的化学式为(1‑x)BaTiO3‑xBaSnO3，x为摩尔百分比，其中0.03≤x≤0.15，本发明采用固相合成的制备方法，得到了具有低电场下高储能性能的介电陶瓷，本发明的成分及工艺步骤简单、易于操作、重复性好；主要应用于高集成度小型化的便携和可穿戴电子设备等领域。
