本发明公开了一种铋基钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料。从Bi2O3-MoO3二元体系的相图出发,以单相化合物为基础,通过调节二元体系配比,等价和不等价离子取代的方式得到了一系列微波介电性能优良的(介电常数10~45,品质因数Qf4000GHz到25000GHz),可在较低温度下550℃和900℃之间烧结成瓷的微波介质材料。其结构表达式为:(1-x)[(Bi1-yAy)2O3]-x[(Mo1-zBz)O3],其中A=La3+,Nd3+,Sm3+,B=W6+,Nb5+,Ta5+,Sb5+,Ti4+,Zr4+,Sn4+,0.01≤x≤1,0≤y≤0.20,0≤z≤0.20。