本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域,提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底,先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层,再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积ECR‑PEMOCVD方法,依次进行氢等离子体清洗金层、制备MoxW1‑xS2层、制备AlyGazIn1‑y‑zN缓冲层和制备AlyGazIn1‑y‑zN外延层。可在廉价的多晶甚至非晶金属衬底上制备出高晶体质量的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜。所制备的氮化铝镓铟/二硫化钼膜可直接作为GaN基器件的模板衬底等使用,具有广泛的应用前景。