[00078792]Si/Ti/Al硬质基底的直流磁控溅射制备方法及应用
技术详细介绍
本发明公开了一种Si/Ti/Al硬质基底的直流磁控溅射制备方法及应用，该制备方法包括如下步骤：取Si片基板三次化学清洗后，真空除尘，预热30分至200摄氏度后，进行Ti溅射，溅射条件为本底真空度5×10‑4Pa、Ar气氛压力0.50pa、溅射时间为1min、溅射电流为1A，完成Ti溅射后进行Al溅射，完成Al溅射后降温至室温取出，即得。本发明采用导电硬质基底，则可以解决陶瓷薄膜的脆性问题，有利于纳米器件的制作；使用直流法进行磁控溅射，重复性好，成膜质量高，制备陶瓷薄膜的有序度好，时间短。
