[00079354]丝网印刷制备纳米SiC薄膜中的热烧结处理方法
技术详细介绍
本发明涉及丝网印刷制备纳米SiC薄膜中的热烧结处理方法，其特点是，包括下列步骤，升温至350-380K后保持20-25分钟，然后再升温至423-453K后保持60-75分钟，然后再升温至633-653K后保持70-80分钟，自然冷却至室温待用。本发明中丝网印刷制备纳米SiC薄膜中的热烧结处理方法，一方面可以使薄膜干燥并牢固地粘结在或其它导电板上衬底上，另一方面可以使薄膜中所含制浆材料分解蒸发掉。使纳米SiC微尖露出薄膜表面，才有利于电子场发射，从而制得纳米SiC场发射阴极薄膜。
