[00080008]一种抗铝毒豌豆幼苗培植方法
技术详细介绍
本[发明专利]公开了一种抗铝毒豌豆幼苗培植方法，其包括如下工艺步骤：1)雾培：豌豆种子用7.5％的次氯酸钠浸泡，用无菌超纯水清洗5～6次，然后在24℃黑暗条件下用浓度为0.5mmol/L的CaCl2溶液浸泡8h后雾化培养，得豌豆幼苗；2)水培：豌豆幼苗雾培至根长为2～3cm时，将豌豆转移到装有霍格兰氏营养液的不透明塑料烧杯中进行培植，加入pH＝7.0的浓度为0.005mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，充分吸附，后加入pH＝5.5的浓度为50mM/L的硅溶液，充分吸附，再用pH＝4.5的浓度为0.5mmol/L的CaCl2溶液进行适应性处理，水培周期为6天。本[发明专利]通过调整豌豆幼苗的培植方法，引入化学修饰法，使得豌豆幼苗根边缘细胞表面沉积有纳米二氧化硅层，从而赋予豌豆幼苗优异的抗铝毒能力。
