[00080135]一种用于沉积纳米二氧化硅的植物根边缘细胞处理方法
技术详细介绍
本[发明专利]公开了一种用于沉积纳米二氧化硅的植物根边缘细胞处理方法，其包括如下工艺步骤：1)收集植物幼苗根边缘细胞于CaCl2溶液中得细胞收集液；2)将细胞收集液移至PE管中，经离心处理后弃上清液，加入浓度为0.002g/L的聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，充分吸附；3)往步骤2)所得溶液中加入聚(4‑苯乙烯磺酸钠)溶液，充分吸附；4)根据需要重复上述步骤2)和步骤3)使细胞表面形成PDADMAC/PSS)X‑PDADMAC自组装多层膜；5)进行纳米二氧化硅粒子吸附处理，得成品。本[发明专利]通过将静电自组装技术与模拟生物矿化过程相结合，可有效地在植物根边缘细胞表面形成自组装多层膜并沉积纳米二氧化硅层，从而为提高植物根边缘细胞抗铝毒能力提供技术基础。
