交易价格: 面议
所属行业: 其他
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN200510022085.4
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 四川钒钛产业技术研究院
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所在地: 四川攀枝花市
一种氧化钒薄膜的制备方法,属于电子材料技术领域,具体涉及一种制备氧化钒薄膜的方法。本发明采用反应离子溅射镀膜工艺制备氧化钒薄膜,通过严格控制反应气体流量,降低制备的工艺难度,增加工艺的可重复性;通过本发明能够制备性能优良的以二氧化钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜,其电阻—温度系数(TCR)在30℃时,达到3%以上。
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