[00082990]一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法
技术详细介绍
本[发明专利]属于功能陶瓷技术领域，公开了一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法，所述反铁电材料的组成为(Pb0.98La0.02)(Sn1‑xZrx)0.998O3，其中0.4≤x≤0.5，本[发明专利]的反铁电厚膜具有特殊的电滞回线结构，不仅具有大的耐击穿电场和相转变电场，同时具有较大的极化强度51.8μC/cm2，使其具有较高的储能密度4.2～6.9J/cm3，这对于开发和制备高储能密度反铁电材料具有非常重要的意义。
本[发明专利]属于功能陶瓷技术领域，公开了一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法，所述反铁电材料的组成为(Pb0.98La0.02)(Sn1‑xZrx)0.998O3，其中0.4≤x≤0.5，本[发明专利]的反铁电厚膜具有特殊的电滞回线结构，不仅具有大的耐击穿电场和相转变电场，同时具有较大的极化强度51.8μC/cm2，使其具有较高的储能密度4.2～6.9J/cm3，这对于开发和制备高储能密度反铁电材料具有非常重要的意义。
