X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到天长市科技大市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果 专家 院校 需求
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00084065]可见光响应的三氧化钨‑钒酸铋异质结薄膜电极制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710049459.4

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 四川钒钛产业技术研究院

进入空间

所在地: 四川攀枝花市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

一种可见光响应的三氧化钨‑钒酸铋异质结薄膜电极制备方法,包括以下步骤:将1~3g Bi(NO3)3·5H2O溶于100mL的2mol/L的醋酸水溶液中得到硝酸铋溶液,将0.2~1g NH4VO3溶于100mL的50~200mmol/L的H2O2水溶液中得到过氧钒酸溶液,然后先将硝酸铋溶液旋涂于WO3薄膜表面,再将过氧钒酸溶液旋涂于WO3薄膜表面,将此旋涂过程重复5~20次,将所得薄膜于400~550℃温度一次性热处理1~6小时,自然冷却得到所述WO3/BiVO4异质结薄膜电极。本发明具有简便、温和、高效的特点,所制备的WO3/BiVO4异质结薄膜电极具有良好的可见光吸收性能和良好的稳定性,光电效率高,光电催化降解有机物效果好,能够应用于光电催化产氢和降解有机物以及传感器等领域。

推荐服务:

Copyright  ©  2019    天长市科技大市场    版权所有

地址:滁州高新区经三路

皖ICP备2023004467