[00084471]一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法
技术详细介绍
本发明提供了一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法，包括：选择VO2靶材，纯度为99.5％至99.99％，放置于可抽真空腔体中；控制腔体本底真空度、氧压大小、沉积温度、退火温度、退火时间、激光功率、激光频率、激光脉冲数和基底。本发明采用脉冲激光沉积技术，以二氧化钒靶材为溅射材料，原料简单，溅射在O2氛围中进行，不论是反应的原料还是反应过程都无毒害，环境友好。生长方法简单易操作，生长VO2(M)纳米线所需温度低，并且可以在非常短的时间内得到大量形貌、结构和长径比优异的纳米线。所得材料可以广泛应用于电阻开关、电池材料、热敏元器件、化学传感器等等。
