[00085349]二氧化钒薄膜忆阻存储器
技术详细介绍
本实用新型涉及一种二氧化钒薄膜忆阻存储器，包括微控制器、电压脉冲发生器、二氧化钒薄膜、用于控制二氧化钒薄膜环境温度的恒温器和放大电路，微控制器与电压脉冲发生器连接，电压脉冲发生器与二氧化钒薄膜连接，二氧化钒薄膜与放大电路连接，恒温器的控制系统及放大电路分别与微控制器连接。本实用新型二氧化钒薄膜忆阻存储器，是利用相变特性的一种高密度存储器件，可同时实现多位信息的存储；二氧化钒薄膜忆阻器所用的薄膜制备工艺成熟与当前集成电路工艺兼容性较好，降低了成本，有利于该忆阻器的实际应用。
