[00085670]一种宽带的中红外调制器
技术详细介绍
本发明涉一种宽带的中红外调制器，所述中红外调制器为多层结构，中红外调制器以二氧化钒为温控相变材料；所述中红外调制器的多层结构的最下层为金，最上层为二氧化硅，二氧化钒层位于中红外调制器的中部，二氧化钒层的上侧设有钛金属层。其中，优选的结构为，中红外调制器的多层结构从下至上依次为金、二氧化硅、二氧化钒、钛金属、二氧化硅。本发明的宽带的中红外调制器，该中红外调制器的带宽达到中心波长的94％；该中红外调制器的结构为层状结构，制作简单、成本低，层状薄膜结构无需图案化印刷技术，因此可简化制作工艺、降低成本。
