[00085691]硒化钒薄膜作背接触层的CdTe太阳电池
技术详细介绍
本发明是为了消除CdTe电池中铜或含铜背接触层材料的缺陷，避免铜的扩散对CdTe太阳电池性能产生不良影响。采用一种不含铜的硒化钒材料，添加在CdTe太阳电池基本结构的吸收层与金属背电极之间，作为CdTe太阳电池的背接触层。可实现CdTe太阳电池的欧姆接触，并使太阳电池的耗尽区变宽，界面复合降低，旁路电阻增大，填充因子提高，转换效率提高。由于本发明中未使用铜这样的受主掺杂剂，因此，电池在长期使用或存放后未见衰降，器件稳定性良好。
