本发明涉及探测器和电子薄膜技术领域,具体涉及一种掺银氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法。本发明以银为掺杂元素制备,元素摩尔百分比含量为银3?10%,钒30?40%,氧50?67%;其TCR为4.2?5.5%/K,电阻温度特性呈现出无相变特征,电阻率0.1?1.1Ω·cm,方阻稳定性在72h后变化率小于10%。先通过溅射工艺分两步沉积银/氧化钒复合薄膜,再通过富氧气氛高温退火得到掺银氧化钒热敏薄膜材料。本发明所制备的掺银氧化钒热敏薄膜材料电阻温度系数高,具有无相变特征,避免了热滞噪声问题,可提高非制冷焦平面器件的灵敏度;且电阻率小,器件可在低偏置条件下工作;其工艺与MEMS工艺兼容性好,适于基于氧化钒热敏薄膜器件的大批量制造。