本发明所涉及的具有交换偏置效应的钒铁氧体-铁酸铋多铁复合薄膜及制备方法。利用磁控溅射技术在SrTiO3单晶基片上外延生长BiFeO3薄膜;采用反应溅射方法,利用金属Fe靶和V靶共溅射制备钒铁氧体Fe3-xVxO4(0.1≤x≤0.6)薄膜并实现与BiFeO3薄膜的外延生长。利用钒铁氧体和铁酸铋构成多铁复合薄膜;首次发现BiFeO3-Fe3-xVxO4复合薄膜具有交换偏置效应。该BiFeO3-Fe3-xVxO4外延复合结构,扩充了多铁复合结构的研究范围;提供了能够一种简单、廉价并可工业化推广的外延异质结构的制备技术。该发明方法具有靶材选择简单、在多铁性性存储设备等方面具有很好的应用价值的优点。