[00086246]钒氧化物薄膜制备方法
技术详细介绍
本发明所述一种钒氧化物薄膜制备方法，其具体制备步骤如下：（1）取纯度为99．8％的钒金属靶(直径70 mm)，基底是显微载玻片，靶和基底间距约50 mm进行沉积；（2）将真李室的压强抽低至千分之一Pa；（3）溅射气体氩气和氧气按1:1的比率导入反应罐，并通过两个质母流动控制器来控制流量（4）再引入溅射气体氧气直到总压强达1Pa；（5）用挡板覆盖基底以除去暴露于空气中所形成的表面氧化层，然后移走挡板，膜的沉积过程开始，薄膜沉积中直流功率为160 W，沉积时问大概40 min，温度从室温变化至400℃。本发明所述工艺制备的薄膜，具有低的透过值，双振荡的经典模型与实验测量透过结果符合得很好。
