[00086446]磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法
技术详细介绍
本发明涉及一种磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法，所述方法包括：以金属钒为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成二氧化钒薄膜，其中控制沉积温度为300～500℃、沉积全压为0.5～2.0Pa、氧气分压为1～5%。本发明不仅克服了以往制备氧化钒薄膜的制备工艺复杂的缺点，同时制备的氧化钒薄膜为相变温度可调的二氧化钒薄膜。
本发明涉及一种磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法，所述方法包括：以金属钒为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成二氧化钒薄膜，其中控制沉积温度为300～500℃、沉积全压为0.5～2.0Pa、氧气分压为1～5%。本发明不仅克服了以往制备氧化钒薄膜的制备工艺复杂的缺点，同时制备的氧化钒薄膜为相变温度可调的二氧化钒薄膜。
