[00086447]一种A相或B相二氧化钒薄膜的制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610792641.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：四川钒钛产业技术研究院

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所在地：四川攀枝花市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明涉及一种磁控溅射制备A相或B相二氧化钒薄膜的方法，以A相二氧化钒陶瓷靶或B相二氧化钒陶瓷靶作为靶材，以氩气为溅射气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成A相或B相二氧化钒薄膜，其中沉积温度为350～500℃、沉积全压为0.5～5.0Pa。本发明直接以A相或B相二氧化钒陶瓷靶作为靶材，通过控制沉积温度、沉积全压等直接制备得到A相或B相二氧化钒薄膜。

[00086447]一种A相或B相二氧化钒薄膜的制备方法

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