[00086448]一种磁控溅射制备氧化钒膜的方法
技术详细介绍
本发明涉及一种磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法，属于薄膜制备技术。1、硅基片表面清洗。2、先在硅片表面沉积一层氧化硅薄膜。3、采用了具有利用率高、溅射薄膜均匀的靶材进行磁控溅射沉积氧化钒薄膜，工艺条件为：底部真空3×10-4Pa，氩氧比例100∶1～140∶1，溅射功率150W～240W，衬底温度为25～200℃。本发明方法的优点在于不需要进行高温热处理，只需改变溅射工艺条件就可以制备出具有高电阻温度系数和低室温电阻的氧化钒薄膜，简化了镀膜工艺。
