[00086882]一种实现M相二氧化钒纳米线择优取向排列生长的制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种实现M相二氧化钒纳米线择优取向排列生长的制备方法。本发明通过优化脉冲激光沉积技术方法实现了二氧化钒纳米线的择优取向排列生长。通过选择激光器和靶材，选择衬底，溅射通过简单的温度、氧压和沉积时间得到长度不同的VO2(M)纳米线阵列。该方法工艺十分简单，对设备要求低，重现性好，可控程度高，无毒害，符合环境要求。本发明采用脉冲激光沉积技术，操作简单，不会产生有毒气氛，也不会对实验人员造成伤害。本发明可以得到择优取向排列的VO2(M)纳米线，为VO2(M)纳米线组装和集成奠定了基础。
