X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到天长市科技大市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果 专家 院校 需求
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00087160]一种双离子束反应溅射沉积设备和制备氧化钒薄膜的方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201210006001.8

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 四川钒钛产业技术研究院

进入空间

所在地: 四川攀枝花市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

本发明涉及一种改进的双离子束反应溅射沉积设备,该设备添加了多通道的闭环控制系统和RGA反馈控制装置,提高了反应气体的流量控制精度,并稳定了反应气体氧的分压,保证沉积氧化钒(VOx)薄膜方块电阻、厚度和TCR等参数的稳定性和重复性;另外,氧气从腔室的辅源通入,消除了靶材与氧反应造成“靶中毒”的风险,提高了靶的使用寿命和设备的利用率。以及应用此设备制备氧化钒薄膜的方法,其方法为:首先对衬底圆片进行离子铣;其次使用改进的双离子束反应溅射沉积的方法制备氧化钒薄膜。

推荐服务:

Copyright  ©  2019    天长市科技大市场    版权所有

地址:滁州高新区经三路

皖ICP备2023004467