交易价格: 面议
所属行业: 其他
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201210006001.8
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 四川钒钛产业技术研究院
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所在地: 四川攀枝花市
本发明涉及一种改进的双离子束反应溅射沉积设备,该设备添加了多通道的闭环控制系统和RGA反馈控制装置,提高了反应气体的流量控制精度,并稳定了反应气体氧的分压,保证沉积氧化钒(VOx)薄膜方块电阻、厚度和TCR等参数的稳定性和重复性;另外,氧气从腔室的辅源通入,消除了靶材与氧反应造成“靶中毒”的风险,提高了靶的使用寿命和设备的利用率。以及应用此设备制备氧化钒薄膜的方法,其方法为:首先对衬底圆片进行离子铣;其次使用改进的双离子束反应溅射沉积的方法制备氧化钒薄膜。
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