[00087179]一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法
技术详细介绍
本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法，所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成，所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1‑x‑yO2，其中0＜x＜0.1，0＜y＜0.2，x：y=（0.1～0.5）：1。本发明制备的二氧化钒薄膜结晶质量高，完全无杂相，且具有较高的电阻温度系数。
本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法，所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成，所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1‑x‑yO2，其中0＜x＜0.1，0＜y＜0.2，x：y=（0.1～0.5）：1。本发明制备的二氧化钒薄膜结晶质量高，完全无杂相，且具有较高的电阻温度系数。
