[00087745]单晶多孔九硒化二钒纳米片阵列电催化材料及其制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种单晶多孔九硒化二钒纳米片阵列电催化材料，在导电基底上生长九硒化二钒纳米阵列，所述九硒化二钒为单晶多孔结构。制备方法为：配制浓度为1‑4mol/L的偏钒酸铵溶液，调节pH1‑3，转入反应釜中，将导电基底放入反应釜中，密封反应釜，进行第一次水热反应，在导电基底表面生长偏钒酸铵纳米片阵列，取出导电基底，用去离子水冲洗表面，然后干燥；将步骤处理后的导电基底在马弗炉中煅烧，得到多孔五氧化二钒纳米片阵列；迅速将制得的硒氢化钠溶液转移到反应釜中，再得到的导电基底斜置放入反应釜中，密封该反应釜，然后将反应釜放入鼓风干燥箱中，进行第二次水热反应；制得九硒化二钒纳米片阵列。该催化剂降低了制氢成本，催化活性与金属铂相当。
