[00087748]单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法
技术详细介绍
本发明公开了一种单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法包括以下步骤：S1，单斜相二氧化钒点缺陷模型的构建；S2，缺陷形成能的计算模拟；S3，结果处理与分析。本发明明确了二氧化钒本征点缺陷与氧分压的关系，通过高通量模拟表征点缺陷的原子微结构和电子行为，对增强VO2薄膜的抗氧化能力、提高可见光透过率，调控VO2的金属绝缘体转变温度有重要意义，为智能窗的实际应用起到积极作用。
本发明公开了一种单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法包括以下步骤：S1，单斜相二氧化钒点缺陷模型的构建；S2，缺陷形成能的计算模拟；S3，结果处理与分析。本发明明确了二氧化钒本征点缺陷与氧分压的关系，通过高通量模拟表征点缺陷的原子微结构和电子行为，对增强VO2薄膜的抗氧化能力、提高可见光透过率，调控VO2的金属绝缘体转变温度有重要意义，为智能窗的实际应用起到积极作用。
