本发明公开了一种电极材料,是采用金属钒薄膜作为与氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜接触的引出电极,并将该种材料用作基于氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜的探测器、传感器、光开关等器件的电极材料。金属钒薄膜的热导率仅为NiCr的三分之一,这有利于降低像素单元支撑结构的热导;其次,以金属钒为源材料的钒薄膜制备工艺比以NiCr合金为源的NiCr薄膜制备工艺更容易控制,也避免了NiCr合金靶的成分选择问题;第三,以金属钒薄膜为氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜的引出电极,很容易获得优异的金半接触,这有助于获得低噪声器件。此外,金属钒薄膜的制备工艺和图形化工艺具有与IC制造工艺和MEMS制造工艺优良的工艺兼容性。