[00087962]一种脉冲反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法
技术详细介绍
本发明涉及一种脉冲反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法，属于氧化钒薄膜制备技术。包括①玻璃和覆盖氧化硅层的硅片表面清洗；②采用脉冲反应磁控溅射制备氧化钒薄膜：预抽真空度＜1×10 -4 Pa，氩氧气氛中氩气与氧气的流量比为100:2.5～3.5，在脉冲直流电源脉冲频率为100～350KHz、占空比为100%～55%、溅射功率为150～250W条件下，溅射15～30分钟溅射成膜。本发明的优点在于溅射过程中不需要对氧气流量精确控制，只需调节脉冲直流电源占空比就可以制备出高金属含量到高氧含量的氧化钒薄膜，工艺可控性好，且可重复性好。本方法制备的氧化钒薄膜可以作为目前非制冷红外热成像器件等应用要求的理想热敏感材料。
