[00088099]一种制备二氧化钒薄膜快速热处理的方法
技术详细介绍
本发明公开了一种制备二氧化钒薄膜快速热处理的方法，步骤为：(1)将硅片切成衬底，清洗干净并烘干；(2)将步骤(1)的硅衬底置于真空室，采用对靶磁控溅射法在硅衬底上淀积一层氧化钒薄膜；所用靶材为99.99％的金属钒，氩气为工作气体，氧气为反应气体；(3)将步骤(2)溅射完的氧化钒薄膜制品放进快速退火炉中，退火温度500℃-550℃，升温速率50℃/s，保温时间10-30s，降温在3分钟以内，保护气体为氮气，制成二氧化钒薄膜；(4)测量。本发明缩短了热处理时间，对二氧化钒薄膜制品快速热处理10-30s可获得明显的相变特性，工艺控制简单，可重复性高，适用于大面积生产，其电学和光学性能也得到了优化。本发明广泛应用于红外探测器、存储器、光通讯等领域。
