交易价格: 面议
所属行业: 其他
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201610033268.4
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 四川钒钛产业技术研究院
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所在地: 四川攀枝花市
本发明公开一种光解水用大面积钒酸铋薄膜的简易制备方法,采用射频磁控溅射法生长钒酸铋薄膜,包括如下步骤:S1,将氧化钒和氧化铋的混合粉末压制成靶材胚体,再将靶材胚体置于800-900℃烧结,得到靶材;S2,以导电玻璃为衬底,在氩气和氧气的混合气氛或纯氩气气氛下进行射频磁控溅射生长薄膜;S3,将生长的薄膜置于空气中退火,退火温度为500-600℃。本发明方法可以实现大面积单斜白钨矿型钒酸铋薄膜的制备。用此方法制备的薄膜晶体质量高、薄膜均匀、与衬底的附着性好,在光解水方面有很好的应用前景。
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