[00088524]一种直流磁控溅射制备光解水用钒酸铋薄膜的方法
技术详细介绍
本发明公开一种直流磁控溅射制备光解水用钒酸铋薄膜的方法，包括如下步骤：S1，以导电玻璃为衬底，金属铋和金属钒为靶材，在氩气和氧气的混合气氛下进行直流磁控溅射；S2，将生长的薄膜置于空气中退火，退火温度为500-600℃。本发明方法可以实现大面积单斜白钨矿型钒酸铋薄膜的制备及掺杂。用此方法制备的薄膜晶体质量高、载流子浓度和迁移率均达到不同程度提高，具有高效水裂解性能。
本发明公开一种直流磁控溅射制备光解水用钒酸铋薄膜的方法，包括如下步骤：S1，以导电玻璃为衬底，金属铋和金属钒为靶材，在氩气和氧气的混合气氛下进行直流磁控溅射；S2，将生长的薄膜置于空气中退火，退火温度为500-600℃。本发明方法可以实现大面积单斜白钨矿型钒酸铋薄膜的制备及掺杂。用此方法制备的薄膜晶体质量高、载流子浓度和迁移率均达到不同程度提高，具有高效水裂解性能。
