[00088704]一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种高电阻温度系数的氧化钒薄膜制备方法，包括以下步骤：（1）将基片在富氧气氛下进行离子轰击活化处理；（2）氧化钒薄膜沉积在常温下分两步进行：在处理后的基片上沉积一层1-5nm的低价态超薄氧化钒种子层，然后以反应溅射沉积氧化钒那薄膜；（3）以反应溅射相同气氛，对薄膜进行高温快速退火。利用本发明所提供的制备方法可实现电阻温度系数-3～5%/K的氧化钒薄膜沉积。同时，本发明所提供的制备方法与MEMS工艺和集成电路制造工艺兼容性好，适于大批量基于氧化钒热敏薄膜的器件制造。
