[00088769]磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法
技术详细介绍
本发明涉及磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法，以金属钒靶或氧化钒陶瓷靶作为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成A相二氧化钒薄膜。A相二氧化钒的晶胞参数为aA=0.844nm,bA=0.844nm,cA=0.767nm，采用衬底晶格参数与A相二氧化钒匹配为本发明的关键。
本发明涉及磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法，以金属钒靶或氧化钒陶瓷靶作为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成A相二氧化钒薄膜。A相二氧化钒的晶胞参数为aA=0.844nm,bA=0.844nm,cA=0.767nm，采用衬底晶格参数与A相二氧化钒匹配为本发明的关键。
