[00088947]二氧化钒薄膜及其制备方法
技术详细介绍
本发明涉及二氧化钒薄膜及其制备方法，配制四价钒前驱生长液，将洗净的基片直接浸入到该生长液中并转入高压反应釜内，在150～250℃温度下进行水热反应0.5～96小时，通过基片的诱导作用制得具有片状VO 2 堆积的二氧化钒薄膜。本发明所制备的二氧化钒薄膜具有特定的微观形貌（如片状或棒状VO 2 堆积），是具有一定纳米结构的薄膜，这是传统的薄膜制备工艺（比如sol-gel，溅射等）所不能实现的；另外薄膜的纳米结构与直接合成的粉体微观形貌是有一定差别的。且水热生长的VO 2 薄膜不通过退火就具有较好的结晶性。
