交易价格: 面议
所属行业: 其他
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201410394351.5
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 四川钒钛产业技术研究院
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所在地: 四川攀枝花市
本发明公开了一种金掺杂多孔硅/氧化钒纳米棒气敏材料的制备方法:首先将p型单面抛光的单晶硅基片清洗干净,采用双槽电化学腐蚀法在其抛光表面制备多孔硅层,再在多孔硅表面溅射形成金属钒薄膜;再将其置于离子溅射仪的真空室中,采用金为靶材,在多孔硅/金属钒薄膜表面沉积金薄膜,溅射电流5mA,溅射时间10s~30s;再于550~650℃热处理,制得金掺杂多孔硅/氧化钒纳米棒气敏材料。本发明的工艺方法简单,重复性好,参数易于控制,在室温下对低浓度二氧化氮气体具有较好的气敏特性。
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