[00089308]一种硫钒铜矿结构的多晶体材料及其应用
技术详细介绍
本发明公开了一种硫钒铜矿结构的多晶体材料及其应用。通过真空固相合成法可制备这类材料的多晶体粉体，通过脉冲激光沉积技术可制备这类材料的多晶体薄膜。这类半导体材料属于立方晶系， 空间群，具有硫钒铜矿结构。这类材料是p型半导体，具有各向同性的优点，有较大的光吸收系数，易于合成和制备成多晶薄膜，且部分材料的价格低廉，可以用做太阳能光伏电池的吸收层材料。
本发明公开了一种硫钒铜矿结构的多晶体材料及其应用。通过真空固相合成法可制备这类材料的多晶体粉体，通过脉冲激光沉积技术可制备这类材料的多晶体薄膜。这类半导体材料属于立方晶系， 空间群，具有硫钒铜矿结构。这类材料是p型半导体，具有各向同性的优点，有较大的光吸收系数，易于合成和制备成多晶薄膜，且部分材料的价格低廉，可以用做太阳能光伏电池的吸收层材料。
