[00009911]真空蒸发制备ZnS/SnS双层薄膜的方法
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法，属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层，使用真空蒸发系统，采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。调整样品架本发明中，ITO玻璃衬底温度控制为150℃～160℃，真空压力为2~3×10-3Pa，衬底与蒸发源钼舟间的距离为20cm左右，控制SnS和ZnS的蒸发温度为1000～1200℃；蒸发过程完成后，进入真空管式退火炉进行退火，退火的温度分别选择为300℃，400℃和500℃。本发明方法工艺简单，薄膜制备的效率高，制得的薄膜具有良好的电学和光学性能，适合应用于太阳能电池。
