交易价格： 面议
所属行业： 其他
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200510073776.7
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 四川钒钛产业技术研究院
进入空间
所在地： 四川攀枝花市
在包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的由氧化钒制成的至少一个传感器元件的半导体器件中，对所述传感器元件进行设计，从而使流过所述传感器元件的电流密度处于0到100μA/μm 2 之间。
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