[00090094]集成电路器件及其制造方法以及形成钒氧化物膜的方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200510062519.3

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：四川钒钛产业技术研究院

所在地：四川攀枝花市

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技术详细介绍

在中间层绝缘层上形成钒氧化物膜，并且在钒氧化物膜上依次形成硅氧化物膜和硅氮化物膜。使用抗蚀剂图形作为掩模，对硅氮化物膜进行构图。然后，通过使用剥离溶液或氧等离子体灰化来去除抗蚀剂图形。接下来，使用构图的硅氮化膜作为掩模，对硅氧化物膜和钒氧化物膜进行蚀刻，以形成钒氧化物的电阻膜。