[00090126]基于二氧化钒薄膜的频率可调共面紧凑型人工磁导体结构
技术详细介绍
本发明的目的在于提供一种基于二氧化钒薄膜的频率可调共面紧凑型人工磁导体结构，包括介质基板、金属地板、金属贴片，金属贴片印制于介质基板的上表面，金属地板设置于介质基板的下表面；金属贴片设置成若干均匀分布的UC‑AMC单元且每一行的相邻UC‑AMC单元的微带分支之间通过一条二氧化钒薄膜相连。本发明涉及的人工磁导体结构能在较低的剖面下实现入射波的大范围频率调谐。
本发明的目的在于提供一种基于二氧化钒薄膜的频率可调共面紧凑型人工磁导体结构，包括介质基板、金属地板、金属贴片，金属贴片印制于介质基板的上表面，金属地板设置于介质基板的下表面；金属贴片设置成若干均匀分布的UC‑AMC单元且每一行的相邻UC‑AMC单元的微带分支之间通过一条二氧化钒薄膜相连。本发明涉及的人工磁导体结构能在较低的剖面下实现入射波的大范围频率调谐。
