交易价格: 面议
所属行业: 其他
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510315771.4
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 四川钒钛产业技术研究院
进入空间
所在地: 四川攀枝花市
本发明公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1或化学式2表示并且具有层状晶体结构的化合物,在化学式1中,M1是钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、钽(Ta)、或铌(Nb);和在化学式2中,M2是钒(V)或钽(Ta)。化学式1M1Te2化学式2M2Se2。
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