一种CdTe/ZnSe量子点的制备方法,包括如下步骤:分别制备Te前体溶液、Se前体溶液、Zn前体溶液和Cd溶液;向加热至250℃~300℃的Cd溶液中加入Te前体溶液,并降温至200℃~280℃,得到CdTe量子点;150℃~260℃的温度条件下,向所述CdTe量子点中加入Zn前体溶液,反应1~60min后,再加入Se前体溶液,升温至160℃~350℃反应0.5h~12h,得到CdTe/ZnSe量子点。上述CdTe/ZnSe量子点的制备方法通过前体溶液的连续加入的方法合成了以CdTe为内核的量子点,并在其表面形成了连续、致密、厚度可控制且均匀增长的ZnSe外壳,只需要通过连续加入前体溶液即可,因此在制备过程中具备了设备简单、操作简便、成本低廉、反应时间短、反应条件温和、重现性好、低毒的优点。