联系人: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地: 江苏苏州市
摘要:本发明公开了一种LED芯片及其应用。该LED芯片包括衬底及分布于衬底表面的外延层,所述LED芯片的长边和宽边中任一者的尺寸均大于177.8µm。当所述LED芯片为长方形芯片时,其长边与宽边的长度比值大于或等于1.5:1。该LED芯片的使用方法包括:向所述LED芯片施加工作电流,使所述LED芯片发光,其中,施加在所述LED芯片上的电流密度<120mA/mm2。利用本发明的设计,可以有效提高LED芯片的光电转换效率,并使其对于环境温度不敏感以及没有通常LED瞬态光效随时间降低的现象,同时还使LED芯片可以封装在任何形式的封装结构中,特别适合在透明封装结构中。