[00091943]具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地： 江苏苏州市
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技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法。该发光二极管包括依次层叠的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层，所述多量子阱结构层包含交替层叠的复数铟镓氮阱层和复数铟镓氮垒层，并且各铟镓氮垒层中铟的摩尔含量沿着由P型氮化镓层指向N型氮化镓层的方向逐渐递减。该发光二极管可通过MOCVD等外延工艺生长形成。藉由本发明的技术方案，不但能降低量子阱内极化效应产生的极化电场，能增加电子空穴在量子阱中的复合效率，降低空穴迁移的势垒，使电子和空穴更均匀地分布在多个量子阱中，还能有效减少电子的泄露，从而提高发光二极管在大电流密度下的发光效率，解决发光二极管中效率下降的问题。
