[00091946]薄膜晶体管及其制备方法
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地： 江苏苏州市
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技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。该晶体管采用顶栅底接触式结构，包括有源层、源电极、漏电极、绝缘层和栅电极，其中绝缘层与有源层之间还设有界面修饰层；该晶体管的制备方法包括：在基底上设置有源层；在所述有源层表面设置源电极和漏电极；在所述有源层表面及源电极和漏电极上修饰界面修饰材料，形成界面修饰层；在所述界面修饰层上设置绝缘层；以及，在所述绝缘层上设置栅电极。本发明通过对薄膜晶体管中的有源层进行界面修饰，能够极大的降低晶体管的关态电流，并提高开关比，同时通过采用顶栅底接触式的结构，还使得晶体管的稳定性得到很大的提高。
