[00092084]电容式超声传感器芯片及其制作方法
技术详细介绍
本发明涉及一种电容式超声传感器芯片，其包括表面设有第一区域和第二区域的掺杂硅衬底；所述第一区域具有金属导电层延伸至第二区域的集成电路；所述位于第二区域的金属导电层上覆盖有附加膜，所述附加膜上覆盖有可导电的振动膜，所述附加膜中具有连接振动膜的接触通孔，所述附加膜和振动膜之间形成有空腔。上述电容式超声传感器芯片中，系在CMOS标准制造工艺的集成电路的金属导电层上覆盖附加膜、牺牲层及可导电的振动膜，最终制成传感器微单元，不改变现有CMOS工艺，兼容性好。此外，还涉及一种电容式超声传感器芯片的制作方法。
