本发明公开了一种LED芯片制作方法及LED芯片,其中该LED芯片制作方法在LED芯片制作过程中,在LED芯片衬底的上下表面各制作一个发光单元。该LED芯片衬底的上下表面各有一个发光单元。本发明的LED芯片制作方法,通过LED芯片衬底上下表面均制作发光单元的结构设计,相对于传统LED芯片,所制作的LED芯片在同样大小的芯片面积之下可以实现双倍的量子阱数量,同时不引起可靠性问题。本发明的LED芯片光效高,在相同面积的情况下比传统芯片更亮,寿命更长,可靠性好,并且工艺简单,成本低,具有较大的市场价值。