交易价格: 面议
所属行业: 其他电气自动化
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201110179746.X
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 中国科学院深圳先进技术研究院
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所在地: 广东深圳市
本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜电池,包括依次叠合的玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层,所述玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层的表面均为粗糙度相同的绒面。上述铜铟镓硒薄膜电池的玻璃衬底表面为绒面,生长得到的薄膜电池表面不平整,从而起到陷光作用。当太阳光入射时,由于绒面结构的存在,其入射光会与电池表面形成一定角度,从而增加光生载流子在P-N结区产生的几率,最终提高光生电流。
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