交易价格: 面议
所属行业: 其他电气自动化
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201611124177.8
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 中国科学院深圳先进技术研究院
进入空间
所在地: 广东深圳市
一种场发射阴极的制造方法,所述方法包括提供导电基板;在所述导电基板上涂覆石墨烯纳米片;在所述石墨烯纳米片表面沉积六方氮化硼纳米片。通过在导电基板上涂覆石墨烯纳米片,在所述石墨烯纳米片的表面沉积六方氮化硼纳米片,使得六方氮化硼纳米片与石墨烯纳米片之间形成稳定的复合纳米结构,降低了石墨烯的功函数,增加了石墨烯表面的局域电场,从而明显降低阴极的开启电场,提高其发射电流。并且,六方氮化硼纳米片部分阻止了石墨烯受到阳离子的轰击,提高了阴极的发射稳定性。
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