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[00094534]基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 电子元器件

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201110080969.0

交易方式: 完全转让

联系人: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

所在地: 江苏苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

本发明公开了基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法,其包括:一SI-GaAs衬底;一位于所述衬底上的AlAs缓冲层;一位于所述缓冲层上的AlAs:Si下接触层;一位于所述下接触层上的多量子阱层;一位于所述多量子阱层上的AlAs:Si上接触层;一位于所述上接触层上的金属薄膜和上电极,所述的金属薄膜具有光栅结构,所述的上电极镶嵌于金属光栅中;一位于所述下接触层上并环绕整个所述的金属薄膜、上接触层和多量子阱层的环形下电极。本发明公开的探测器利用Plasmon的局域特性和光栅的选频特性,实现了信号的增强和滤波,提高了量子阱的吸收效率,增强了量子阱红外探测器的灵敏度。

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